，必要面向中国客户，助力中国半导体生态系统。Soitec是全球仅次于的优化衬底供应商，享有Smart Cut、Smart Stacking、Epitaxy等核心技术，主要面向智能手机、汽车、云和物联网市场。该公司在全球享有1200多名员工、3000多项专利，在欧洲、美国和亚洲另设生产工厂、研发中心和办事处。会上，Soitec全球战略继续执行副总裁Thomas Piliszczuk、全球业务部继续执行副总裁Bernard Aspar和全球销售主管Calvin Chen陆续讲解本次战略调整的策略及意义，并在会后与展开了更进一步交流。

SOI护持半导体性能提高SOI全称作Silicon On Insulator，即绝缘硅衬底，该技术是在顶层硅和背衬底之间引进一层水解埋层。由于水解埋层的隔绝起到，晶体管源-漏间的寄生电容可大幅度增大，半导体器件的延后和动态功耗可以做到的更加较低，且SOI与现有硅工艺相容，可增加大约20%的生产工序。

了解到，在目前的SOI衬底技术中，Smart Cut是最不具发展潜力的一种。Bernard Aspar在会上讲解称之为，“Smart Cut就看起来一把纳米刀，需要切割成十分厚、十分极致的硅层，并将其变换到其他的基体之上。”据报，Soitec充份理解用户市场需求，研发了各种限于于有所不同类型应用于和产品的全系列优化衬底，目前有用作射频前端模块的RF-SOI、用作无缝高压器件隔绝的Power-SOI、用作高性能处理器的FD-SOI、用作压电晶体的POI、用作光通信器件的Photonics-SOI，以及用作光学的Imager-SOI。

这些SOI产品可减缓符合AI和5G在大规模相连、高带宽、高可靠性和较低延时性等方面的拒绝。与HKMG（High-K Metal Gate，低介电常数金属栅极）等技术比起，SOI衬底技术可适应环境更加普遍的发展市场需求。

Thomas Piliszczuk在会后对说明道，以HKMG技术为事例，其最低不能适应环境28nm节点工艺，跨过这一节点后就必须觅他途。而SOI技术从十几年前的200nm工艺仍然沿用至今天的14nm工艺，据法国研究机构CEA-LETI论证，SOI技术在未来的10nm及更加小的节点上仍可之后演变，不但能持续优化半导体性能，且成本比起Finfet等栅极工艺比起也有优势。在过去的一年里，5G的飞速变革使得射频前端设计更为简单，对RF-SOI晶圆的市场需求高速快速增长。

另外，随着AI、物联网、汽车电子的蓬勃发展，具备节约能源优势的基于FD-SOI衬底的芯片设计开始甚广热门。加快中国5G和AI发展十年以来，Soitec仍然是中国半导体行业的忠诚合作伙伴。

自2007年Soitec与中国大学和研发机构创建合作关系伊始，至如今与中国代工厂积极开展密切合作，一直致力于为中国市场获取差异化价值。Bernard Aspar在会上讲解称之为，中国近年来以多达美国240亿美元的成本投资于5G网络的基础建设，在人工智能领域的投资占到全球总额的将近60%。

预计到2020年，中国半导体行业增长率将超过20%，5G将反对物联网的广泛应用，并为自动驾驶技术等AI应用于获取极大的机会。他回应，人工智能和物联网将引起新一轮半导体革命，延后、稳定性、数据隐私、能耗及成本都在促成AI向边缘末端发展，更为必须低功耗解决方案。Soitec的FD-SOI优化衬底通过在超强低功耗层面实行基底偏压，有助构建AIoT的动态演进及非常丰富应用于。目前，RF-SOI材料已应用于在完全所有智能手机中，并且容量随着新产品的递归改版而大大快速增长；而FD-SOI所带给的独有射频性能，使其沦为诸如5G毫米波收发器等应用于的理想解决方案，并需要为物联网构建仅有射频和超强低功耗计算出来构建。

据介绍，FD-SOI早已应用于多个AIoT解决方案，如NXP i.MX RT600交叉处理器使用了FD-SOI关卡边缘机器学习和人工智能的潜力；Lattice基于FD-SOI的下一代持续在线FPGA低功耗机器学习推理小说（从1mW到1W），设计人员可以建构灵活的高性能AI芯片；Synaptics下一代人机界面由基于FD-SOI的AI环境计算出来获取反对智能将向边缘发展；Rockchip RK1808使用22nm FD-SOI工艺的终极低功耗解决方案，内置3TOP NPU，专为各种人工智能和物联网应用于而设计，比起主流的28nm工艺，功耗可减少大约30％。中法企业合作，资源共享行业新标准Soitec从2007年开始与中国研究单位合作，为中国获取服务有多达10年。Calvin Chen回应，Soitec相结合中国高速发展的大环境，顺利部署了依赖整个生态系统的协作体系，还包括基础设施和网络供应商、OEM厂商、无晶圆厂、构建器件生产、设计公司、晶圆代工、衬底、研发和学术界等。在会上得知，今年2月26日，Soitec宣告沦为首家重新加入中国移动5G牵头创意中心的材料供应商。

中国移动5G牵头创意中心是国际化联盟，致力于为中国研发5G通信解决方案。硅基和非硅基优化衬底对于5G移动通信在自动驾驶汽车、工业相连和VR等领域的大规模部署充分发挥着至关重要的起到。除了为中国客户获取销售与技术支持外，Soitec通过与上海新傲科技创建长年合作伙伴关系，可为中国客户获取高品质、及时与低产量的SOI晶圆供应。

会后(公众号：)更进一步了解到，今年2月，Soitec刚宣告与新傲科技强化合作关系，不断扩大新傲科技坐落于中国上海生产工厂的200mm SOI晶圆年产量，生产能力将从每年180000片缩减到至每360000片，以更佳地服务全球市场对RF-SOI和Power-SOI产品的快速增长性需求。新傲科技将负责管理SOI晶圆生产，Soitec则管理全球产品销售。目前，新傲科技工厂已取得了多家国内外主要客户的接纳。

Soitec不仅为建设新一代首批5G和Sub-6GHz设备基础设施生产了大量300mm RF-SOI晶圆，而且为客户获取多种65nm、28nm和22nm节点生产的FD-SOI产品。Paul Boudre在会上回应，SOI的价值不仅反映于衬底层面，还反映于全球价值链中的设备、系统和终端应用于层面。

为了把Soitec的价值推展到中国客户以及中国客户的下游消费者，Soitec将不会在中国成立一支富有经验的全球销售及市场和业务扩展团队，与全球价值链中的主要参与者进行普遍的联系。原创文章，予以许可禁令刊登。下文闻刊登须知。

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